合成了2个新的配合物Eu2(btb)3(H2O)4(1)和Eu2(btb)3(phen)2(2)[H2btb=4,4′-双(4″,4″,4″,-三氟代-1″,3″-二氧代丁基)联苯,phen=1,10-邻菲罗啉]。采用元素分析、红外光谱、紫外光谱和快原子轰击质谱表征了2个配合物的结构。在近紫外光激发下,配合物1和2都发射出强的铕离子特征红光。对614nm红光进行监控,其激发光谱在395nm处具有最大的激发强度,与InGaN芯片发射的近紫外光激发相匹配。将配合物1和2与395nm发射的InGaN芯片进行组合
