电弧熔炼制备的(Mo0. 55Nb0.15) Si2合金为MOSi2( Cllb结构)和NbSi2 (C40结构)两相组织。以电弧熔炼得到的合金为母合金,通过光学悬浮区域熔炼法,选择适当的生长速度4mm/h制备了(M00. 85 Nb0. 15)Si2单晶,单晶结构为C40结构。对单晶在1200-1700℃进行不同时间的退火处理。研究了不同热处理制度对合金显微结构的影响规律。结果表明:经1600℃,6h退火处理后,在合金中形成了排列紧密、方向取向相同的全片层状结构,片层间距为200-300 nm。经EDS
