在大气压下通过化学气相沉积法制备的单层MoS2场效应晶体管的低温载流子传输研究

通过大气压下的化学气相沉积法成功地生长了大尺寸的单层二硫化钼（MoS2）。 在低温下研究了所制造的背栅单层MoS2场效应晶体管（FET）的电传输特性。 达到59 cm（2）V-1 s（-1）的峰值场效应迁移率。 借助于低温下的拉曼测量，这项工作确定了单层MoS2 FET的迁移率限制因素：低温下的同极性声子散射和室温下的电子极性光学声子散射。 （C）2015 AIP Publishing LLC。