从提供的文件信息中，我们可以提取以下IT知识点，详细地介绍关于“Nb:SrTiO3上生长的La0.67Sr0.33MnO3/BaTiO3双层薄膜的漏电流传输机理”的研究。
这项研究的内容是关于在掺Nb的SrTiO3（NSTO）基底上通过脉冲激光沉积技术（PLD）外延生长La0.67Sr0.33MnO3/BaTiO3（LSMO/BTO）双层薄膜，并研究了这些薄膜的漏电流传输机理。LSMO是一种掺杂的钙钛矿锰氧化物薄膜，常被用作室温下的导电层和磁性薄膜。而BaTiO3（BTO）是一种典型的铁电材料，在电子、电光和机电设备中具有广泛应用。BTO超薄膜通常作为FTJs（铁电隧道结）和MFTJs（人工多铁隧道结）的活性铁电隧道势垒，夹在金属或磁性电极之间。LSMO和BTO的晶格参数匹配得很好，这使得在BTO和NSTO基底上通过PLD方法制备LSMO薄膜成为可能。
在研究中，LSMO/BTO双层薄膜的电流-电压（I–V）特性得到了研究。这些I–V曲线在室温下测量，显示出整流行为，并在正偏压下可以很好地通过空间电荷限制电流机理拟合，而在反偏压下可以用热发射模型来描述。分析指出，LSMO/BTO界面存在一个可调节的肖特基势垒，它主导着LSMO/BTO双层薄膜的漏电流传输特性。
肖特基势垒是一个重要的概念，它是由金属和半导体接触时形成的势垒，主要影响半导体器件的电流传输。在金属-氧化物-半导体（MOS）结构中，肖特基势垒对电流的流动有显著影响，特别是在小尺度的电子器件中，肖特基势垒的调节对于器件性能至关重要。由于LSMO和BTO在结构和物理特性上的良好匹配，这使得在它们的界面上形成肖特基势垒成为可能，并且势垒的高度可以通过不同的外加电场来调节。
对于漏电流传输机理的研究，有助于理解这些薄膜在实际应用中的电气行为，特别是在制造微电子和存储器件时。漏电流是影响器件可靠性的关键因素之一，因此对其传输机制的深入理解对于优化器件性能和长期稳定性具有重要意义。
这篇论文通过精确的实验和理论分析，揭示了LSMO/BTO双层薄膜的漏电流传输特性，说明了在两种不同极性的偏压下的不同传输机制。这为未来的材料和器件设计提供了宝贵的信息，也对基于这些材料的电子和存储设备的开发和优化具有指导意义。通过对肖特基势垒的理解，研究人员和工程师能够更好地设计和控制界面特性，从而改善器件的电气性能和可靠性。
