通信与网络中的IR推出面向网络通信系统开关式转换器应用的N沟道MOSFET
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2020-11-27
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通信与网络中的通信与网络中的IR推出面向网络通信系统开关式转换器应用的推出面向网络通信系统开关式转换器应用的
N沟道沟道MOSFET
国际整流器公司(International Rectifier，IR)近日推出全新60、80和100V的N沟道HEXFET MOSFET。这些产品
适用于目前网络和通信系统中的开关转换器应用，可以将阻容乘积这一参数改善36%。IRF7853PbF、
IRF7854PbF及IRF7855PbF均适用于AC-DC次级同步整流、隔离式中等功率DC-DC应用。 IR中国大陆及
香港销售总监严国富指出：“MOSFET的导通状态电阻和总栅极电荷性能对整个电路性能有着直接的影响。我们
的三款新型SO-8封装器件采用了IR的沟道MOSFET技术，可以大幅度降低RDS(on)和Qg，为转换器电路带来显
著的系统级优
国际整流器公司(International Rectifier，IR)近日推出全新60、80和100V的N沟道HEXFET MOSFET。这些产品适用于目
前网络和通信系统中的开关转换器应用，可以将阻容乘积这一参数改善36%。IRF7853PbF、IRF7854PbF及IRF7855PbF均
适用于AC-DC次级同步整流、隔离式中等功率DC-DC应用。
IR中国大陆及香港销售总监严国富指出：“MOSFET的导通状态电阻和总栅极电荷性能对整个电路性能有着直接的影响。
我们的三款新型SO-8封装器件采用了IR的沟道MOSFET技术，可以大幅度降低RDS(on)和Qg，为转换器电路带来显著的系统
级优势。”
这些中电压MOSFET配合IR的低电压MOSFET和控制器IC，可组成中功率转换器应用的次级芯片组。此外，当与
SmartRectifier智能整流器IR1167一起应用于笔记本电脑适配器等AC-DC电源时，这些新型SO-8封装器件则可替代两个大型
的TO-220 MOSFET及对应的散热器，提升整体系统效率达1%。
100V IRF7853专为隔离式DC-DC总线转换器的通信总线宽电压输入(36V-75V)的原边桥拓扑结构作了优化。
80V IRF7854则可用于有源ORing和热插拔应用。三款MOSFET都是针对5-19V输出的反激转换器的次级同步整流和共振半桥
式应用设计的，并可以作为18-36V输入的隔离式DC-DC转换器的正激拓扑结构或推挽式拓扑结构的原边开关，在隔离式DC-
DC应用中使用。
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