通信与网络中的IR推出面向网络通信系统开关式转换器应用的N沟道MOSFET

国际整流器公司(International Rectifier，IR)近日推出全新60、80和100V的N沟道HEXFET MOSFET。这些产品适用于目前网络和通信系统中的开关转换器应用，可以将阻容乘积这一参数改善36%。IRF7853PbF、IRF7854PbF及IRF7855PbF均适用于AC-DC次级同步整流、隔离式中等功率DC-DC应用。  　　IR中国大陆及香港销售总监严国富指出：“MOSFET的导通状态电阻和总栅极电荷性能对整个电路性能有着直接的影响。我们的三款新型SO-8封装器件采用了IR的沟道MOSFET技术，可以大幅度降低RDS(on)和Qg，为转换器电路带来显著的系统级优 在通信与网络领域，高效的电源管理是至关重要的，特别是在网络通信系统中，因为这直接影响到设备的性能和能效。国际整流器公司（International Rectifier，简称IR）近期发布了一系列新产品，即60V、80V和100V的N沟道HEXFET MOSFET，型号包括IRF7853PbF、IRF7854PbF和IRF7855PbF，它们专为网络通信系统中的开关式转换器应用而设计。 MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）是一种关键的电力电子元件，常用于开关电源转换器，因为它能够高效地控制电流流动。在这次发布的新型N沟道HEXFET MOSFET中，IR采用其先进的沟道技术，显著降低了导通状态电阻（RDS(on)）和总栅极电荷（Qg）。这两个参数的改进意味着在开关操作中，器件将消耗更少的能量，从而提高转换器的效率和系统的整体性能。 RDS(on)是MOSFET在导通状态下，源极到漏极之间的电阻。较低的RDS(on)值意味着在相同电流下，器件产生的热量减少，进而降低了损耗，提升了转换效率。另一方面，Qg是控制MOSFET开关所需的电荷量，它的减小意味着开关速度更快，开关损失减小，同时降低了电磁干扰（EMI）的可能性。 IR的这些新型MOSFET特别适用于AC-DC次级同步整流和隔离式中等功率DC-DC转换器。同步整流是一种利用MOSFET代替二极管进行整流的方法，可以进一步提高效率，因为MOSFET的导通电阻远低于二极管。对于需要高效率和小型化的设计，如笔记本电脑适配器，这些新型MOSFET与IR的低电压MOSFET和控制器IC结合使用，可以形成一个完整的次级芯片组，减少组件数量，提高系统集成度，同时提升效率。 例如，100V的IRF7853PbF适用于36V-75V输入的隔离式DC-DC总线转换器的原边桥拓扑结构，80V的IRF7854PbF则在有源ORing和热插拔应用中表现出色。而5-19V输出的反激转换器和18-36V输入的隔离式DC-DC转换器的正激或推挽拓扑中，这些MOSFET同样能够提供优异的性能。 IRF7855PbF则可能被用作共振半桥式应用的次级同步整流，这种拓扑结构在需要精确频率控制和低谐波失真的应用中常见。通过与IR1167 SmartRectifier智能整流器配合使用，这些新型MOSFET可以替换传统的TO-220封装MOSFET和散热器，进一步减少体积和重量，同时提升系统效率1%以上。 IR推出的这些新型N沟道HEXFET MOSFET不仅在技术参数上实现了突破，优化了转换器性能，还提供了更高的设计灵活性，有助于网络通信系统实现更高效、更紧凑和更可靠的电源解决方案。这些创新的电源管理元件将在未来的通信和网络基础设施中发挥重要作用，推动整个行业的能效标准不断提升。