模拟技术中的新一代超快I-V测量技术

与直流电流-电压(I-V)和电容-电压(C-V)测量一样，是否能够进行超快I-V测量对于从事新材料、器件或工艺研发特征分析实验室的所有人都变得十分必要。进行超快I-V测量需要产生高速脉冲波形，并且在待测器件可能发生松弛之前测量产生的信号。 　　早期实现的高速I-V测试，通常是指脉冲式I-V测试系统，是针对某些特定应用而开发的，例如高k介质的特征分析和绝缘体上硅(SOI)恒温测试，或者生成Flash存储器特征分析所需的短脉冲。采用脉冲式I-V测量技术是必需的，因为当采用传统直流I-V技术进行测试时，它们的绝缘衬底使得SOI器件保持了测试信号自身产生的热量，使测得的特征曲线发生偏斜；采用脉冲式测