元器件应用中的飞兆推出80V N沟道MOSFET器件（图）

飞兆半导体公司(Fairchild Semiconductor)日前宣布推出采用SO-8封装的80V N沟道MOSFET器件——FDS3572。该器件能同时为DC/DC转换器的初级和次级同步整流开关电源设计提供良好的整体系统效率。 　　FDS3572提供7.5nC Miller电荷(Qgd)，比相同RDS (on)级别的产品低38%。该器件的低Miller电荷加上低RDS (on) (16m)特性，其品质因数优值(Figure of Merit, FOM = RDS(on)×Qgd)为120。FDS3572的总门电荷在VGS =10V为31nC，有助于降低损秏；低QRR (70nC)也可降 飞兆半导体公司(Fairchild Semiconductor)的FDS3572是一款80V N沟道MOSFET器件，设计用于提升DC/DC转换器和开关电源系统的整体效率。这款器件采用SO-8封装，使其在空间有限的应用场景中表现出色。其主要特点在于其优秀的电气性能参数，对优化电源系统设计具有显著影响。 FDS3572的Miller电荷仅为7.5nC，相比同类产品降低了38%，这一特性对于高速开关操作至关重要，因为它减少了开关过程中的能量损失。同时，FDS3572的RDS(on)为16mΩ，这意味着在导通状态下，器件的电阻非常低，进一步降低了传导损耗。这两个参数的组合使得FDS3572的品质因数优值(FOM)达到120，这是一个衡量MOSFET开关性能的重要指标。 此外，FDS3572的总门电荷在VGS = 10V时为31nC，这有助于降低开关损耗，因为它减少了驱动MOSFET所需的能量。低QRR（反向恢复电荷）为70nC，能够减少在关断时的损耗，提高转换效率。高雪崩能量(EAS)为515mJ，确保了该器件在高电压瞬变情况下的稳定性，提高了其耐用性。 FDS3572适用于各种电源设计，特别是那些需要高密度隔离全桥或半桥DC/DC转换器的场合，如低压电信电源、服务器电源、网络和数据通信电源等。在这些应用中，由于工作频率可能高达250KHz，FDS3572的低Miller电荷使得开关速度更快，减少动态损耗，而低门电荷则降低了驱动器/PWM控制IC的功耗，提升了系统效率。 在同步整流器应用中，FDS3572可以替换传统的高压肖特基整流器，尤其适用于5V到52V输出的DC/DC转换器，例如网络和数据通信电源，以及笔记本电脑的AC/DC适配器。其低RDS(on)特性显著降低了传导损耗，从而提高了适配器的功率密度，满足了现代电子设备对高效能和小型化的需求。 价格方面，FDS3572的单价为1.18美元（批量1,000个），并且有充足的库存，交货期为8周，为设计者提供了灵活的采购选择。总体而言，FDS3572是优化电源系统设计、提升效率和耐用性的理想选择，特别是在高频率和低损耗要求的应用中。