飞兆半导体的80 V MOSFET

飞兆半导体公司 (Fairchild Semiconductor) 宣布推出采用SO-8封装的80 伏 N沟道MOSFET器件FDS3572，具备综合的性能优势，能同时为DC/DC转换器的初级和次级同步整流开关电源设计提供优异的整体系统效率。FDS3572提供7.5 nC Miller电荷 (Qgd)，比相同RDS(on) 级别的产品低38％。该器件的低Miller电荷加上低RDS(on) (16毫欧) 特性，其品质因数Figure of Merit (FOM = RDS(on) x Qgd ) 为120， 比接近的竞争产品低33％ 之多。FDS3572还具有的总门电荷 (在VGS = 10