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单层MoS2中Mo,S空位和V掺杂诱导的新型光学性质
单层MoS2中Mo,S空位和V掺杂诱导的新型光学性质
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单层MoS_2分子掺杂的第一性原理研究
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基于密度泛函理论的第一性原理平面波赝势方法的计算,研究了通过吸附不同有机分子对单层MoS2进行化学掺杂.计算结果表明有机分子与MoS2单层衬底间的相互作用主要是范德瓦尔斯作用力.吸附不同有机分子的单层MoS2结构均表现出间接带隙的特征,还表明吸附TTF分子的单层MoS2结构表现出n型半导体的特质,而吸附TCNQ,TCNE两种分子的单层MoS2结构均表现出p型半导体的性质,这些结果表明可以通过改变吸
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高质量的圆形单层MoS2域及其转换。
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通过大气压下的化学气相沉积法成功地生长了大尺寸... 借助于低温下的拉曼测量,这项工作确定了单层MoS2 FET的迁移率限制因素:低温下的同极性声子散射和室温下的电子极性光学声子散射。 (C)2015 AIP Publishing LLC。
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单层二硫化钼(MoS2)是一种具有优异光电性能的半导体材料,在太阳能能量转换中表现出很大的应用潜力。本文基于AMPS模拟软件,对单层n型MoS2/p型c-Si异质结太阳电池进行了数值模拟与分析。通过模拟优化,n型MoS2的电子...
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