X射线光电子能谱法测定ZnO /多层MoS2界面的能带排列

ZnO和多层（ML）-MoS2之间的能带对准使用高分辨率X射线光电子能谱进行了表征。 使用原子层沉积工具沉积ZnO膜，并通过化学气相沉积法生长ML-MoS2。 对于ZnO / ML-MoS2界面，未经任何处理即可获得3.32 eV的价带偏移（VBO）和1.12 eV的导带偏移（CBO）。 使用CHF3等离子体处理时，发现ZnO / ML-MoS2界面上的VBO和CBO分别为3.54 eV和1.34 eV。 通过CHF3等离子体处理，ZnO / ML-MoS2界面的能带排列已从II型或交错带排列更改为III型或未对齐，这有利于电子-空穴对分离。 据认为，带对准差主要由Zn 2p核心能级或界面偶极子的下移所致，这是由富含F的界面层引起的。由AIP Publishing出版。