应用SILVACO仿真软件,对N、P区杂质浓度分别为1×1016和1×1017 cm-3的非晶硅薄膜太阳能电池进行了后退火工艺仿真研究.结果表明:非晶硅薄膜太阳能电池的光谱响应特性随着后退火温度的升高和退火时间的增加而提高.与未后退火电池相比,保持后退火时间1min,退火温度分别为900,950和1000℃时,电池的短路电流(Isc)增加约5.39%;保持后退火温度为950℃,退火时间从1min增加到5min,电池的短路电流(Isc)提高约6.37%.但是,电池的光谱响应特性的提高与后退火工艺参数不成正比
