激光辐射对供体-受体型聚合物忆阻器性能的影响

利用异靛蓝、丙烯二氧噻吩、噻吩单元组成的供体-受体类型半导体聚合物IPDT构建了有机电子器件Al/IPDT/ITO，该器件具有明显的忆阻特性，开/关电压为8 V/－7.5 V，高低电阻比达到了102以上。研究了不同波长激光的照射对器件忆阻性能的影响，结果表明：波长为632 nm、功率为3 mW的激光对忆阻性能的影响显著；照射60 s后，器件电流的走向发生了反转，开/关电压降低到－2.2 V/1.3 V，高低电阻比提高到104，电流降低了一个量级，且电流-电压曲线的涨落减小，有效降低了器件的功耗；稳定性循环测试次数由未经激光照射时的2000提高到3500，提高了数据读取的准确性和稳定性。