Pb2+掺杂对Cd1-xZnxS光催化产氢性能的影响规律 (2008年)

采用共沉淀法制备了Pb2+掺杂的Cd0.2Zn0.8S及Cd0.8Zn0.2S固溶体光催化剂。实验结果表明，Pb2+掺杂的宽带隙固溶体Cd0.2Zn0.8S在6s轨道与固溶体的价带杂化后提升了价带位置，降低了半导体的带隙，因而提高了产氢活性。当Pb2+掺杂窄带隙固溶体Cd0.8Zn0.2S后，形成固溶体价带附近的杂质能级，并成为光生电子空穴复合中心，因而不能提高产氢性能。因此，Pb2+对半导体的可见光改性仅适用于较宽带隙的半导体。