为研制VLSI16K-SRAM,开发了一种3μNMOS双层多晶工艺。对整个工艺流程以及主要的工艺问题进行了广泛的研究。某些技术难点,例如窄沟效应,浅结欧姆接触,栅氧化层质量等,得到解决。实验证明,这套工艺是可行的,合理的,能够满足研制3μVLSI的要求。
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