YAG激光频率对aH-Si薄膜微晶化的影响

研究了一种氢化非晶硅(aH-Si)薄膜微晶化的激光控制工艺方法。在保持脉宽、激光功率和激光光斑大小一致的情况下，分别应用4、8、10、12、15 Hz频率YAG激光对aH-Si/晶体硅(c-Si)结构中的aH-Si薄膜进行退火处理，探索了YAG激光脉冲频率对aH-Si薄膜微晶化的影响。用X射线衍射仪(XRD)和原子力显微镜(AFM)对aH-Si薄膜晶化后的物相结构和表面形貌进行了分析。实验结果表明，随着激光频率从4 Hz增加到10 Hz，aH-Si薄膜晶化后的晶粒尺寸变大；随着激光频率从10 Hz增加到15 Hz，aH-Si薄膜晶化后的晶粒尺寸逐步变小。脉冲频率为10 Hz激光退火后的aH-Si薄膜的晶化晶粒平均尺寸最大，约45 nm。aH-Si薄膜的表面电阻率随激光频率的增加总体呈下降趋势，晶化后晶粒尺寸最大的aH-Si薄膜的表面电阻率最低。