波状PIN电光调制结构

PIN是电光调制器中常见的一种调制结构，该结构工作时产生的热光效应直接影响着电光调制器的性能。为了缓解这种热光效应对调制器的影响，从PIN调制原理出发，在绝缘体上硅薄膜（SOI）材料的基础上提出了一种波状PIN调制结构，并将该结构与普通PIN调制结构进行对比，定量分析了波状PIN结构对温度、折射率以及调制区载流子浓度的影响，通过仿真得出2 V调制电压下，波状PIN结构的温度降低了11.6%，抑制热光效应使得折射率漂移减小了28%，调制区注入载流子浓度提高了26.7%。通过实验，分别制作了波状PIN结构和普通PIN结构的微环电光调制器，经过测试发现波状PIN结构具有更大的谐振峰蓝移值，该结构有效抑制了热光效应的影响，证明了该新型结构的优越性及理论分析的正确性。