C、N、F掺杂对VO2电子结构影响的研究

二氧化钒(VO2)是一种热至变色材料，在临界温度340 K有金属-半导体相变。第一性原理计算结果发现：C、N、F元素以1.56%、3.13%、4.69%的原子浓 度掺杂M1相VO2的带隙Eg1降低到0.349~0.612 eV，其中氮元素以4.69%的浓度掺杂VO2的带隙Eg1最小(0.349 eV)。在C、N、F掺杂M1相VO2体系中，3.13%的N掺 杂可以有效降低相变温度，并且对可见光透过率影响不大，所以3.13%的N原子掺杂VO2可以在实际中应用。