铅酸蓄电池充电与保护集成电路的设计 (2008年)

针对蓄电池充电和保护电路的分离及占用较大的面积等问题,采用 CSMC公司0 .6μm互补型金属氧化物半导体(CMOS)工艺,设计集蓄电池充电和保护功能于一身的集成电路.它既可以实现对免维护铅酸蓄电池的浮充充电及过充、过放、过流保护,也可以解决分立元件构成的电路占用面积大的问题.采用 Ca-dence中的Spectre对电路进行模拟仿真,结果表明,当温度在- 10～90℃范围内,基准电压随温度的变化呈抛物线的形状,电路的温度得到很好的补偿.