FRAM RFID技术是在非易失性存储器领域的一次重大进步。铁电随机存储器(FRAM)作为RFID技术中的一个亮点，具有数据存储容量大、擦写速度快的特点，使其非常适合用作数据载体标签。这种技术可以记录和存储大量的数据，包括但不限于制造数据、生产数据、物流数据和维护数据等，广泛应用于各种资产、产品和零部件的管理。
FRAM存储技术的原理是基于铁电材料的特性，这种材料能够在没有电源的情况下保持存储的数据。在RFID技术中，FRAM的应用解决了传统电擦除可编程只读存储器（E2PROM）在写入速度和耐擦写次数上的局限性。E2PROM需要内部升压电压来写入数据，因而它的写入速度相对较慢，耐擦写次数也有限。相比之下，FRAM可以进行快速的读写操作，耐擦写次数极高，适合频繁更新数据的应用场景。
FRAM RFID技术的另一个优势在于能够实现分散数据管理。传统的E2PROM RFID通常需要依赖于中心服务器进行集中管理，而FRAM RFID能够记录数据至标签本身，从而减轻服务器负载。特别是在工厂自动化和维修领域，利用FRAM RFID记录生产历史和维修数据可以大大提高效率，因为这些应用场景中经常需要写入大量数据。
FRAM的另一个重要特性是它的抗辐射能力。在高辐射环境下，如伽玛射线灭菌处理中，E2PROM存储的数据会受到严重影响。然而，FRAM存储的数据能够承受高达45kGy的放射水平而不受影响，这使得FRAM在医疗设备和食品安全等需要高温高压灭菌的应用场合变得尤为重要。
富士通半导体开发的带有串行接口的FRAM RFID LSI为RFID技术带来了新的可能性。通过内置的串行外围接口（SPI），FRAM RFID不仅可以通过RF接口进行数据交换，还可以通过串行接口与微控制器（MCU）相连。这样的配置让FRAM能够作为外部存储器使用，同时也支持通过RF接口读取和写入数据。
在实际应用中，FRAM RFID可以作为传感器标签使用，MCU定期监测传感器数据并将数据写入FRAM存储器。这样，即使RFID标签离开了RF读取区域，数据仍然可以被记录下来，并在返回RF区域后通过RF接口读取。此外，FRAM RFID也可以作为MCU的参数存储器，通过RF接口来重写存储区中的数据，使MCU能够根据存储的参数改变数据采集的行为或条件。
虽然有源RFID标签能够提供单向通信模式，但它们缺少可供RF阅读器日后读取数据的存储器，因此不能记录可追溯数据。相比之下，FRAM RFID标签由于存储容量大，能够记录和存储可追溯数据，即使在RF区域之外也能通过串行接口进行数据记录。
除了传感器应用外，FRAM RFID技术在理论上可以与各种受MCU控制的应用相连接，如工厂设备状态监测、游戏机和医疗设备的历史数据记录。尽管有些应用通过现有技术如非接触式智能卡已经得到满足，但FRAM RFID技术的发展将可能在存储容量和传输速度等方面带来新的突破，并能发现新的应用场景。
FRAM RFID技术凭借其大容量、高速擦写、耐擦写次数多和抗辐射特性，为传统RFID技术提供了重要的升级。而内置的串行接口进一步拓展了FRAM RFID的应用范围，使之能够更灵活地与各种传感器和MCU结合，提高数据管理和处理效率，推动RFID技术在工业自动化、资产追踪、物流管理等多个领域的发展。随着技术的不断演进，我们可以期待FRAM RFID技术在未来的物联网和智能设备中扮演更加重要的角色。
