富士通非易失性存储器FRAM-综合文档
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2021-05-24
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富士通非易失性存储器 FRAM
1969 年起，富士通开始提供存储器，至今已走过了 46 个年头。现在 ，富士通半导体主要
提 供 高 质 量 、 高 可 靠 性 的 非 易 失 性 存 储 器 “ FRAM （ Ferroelectric Random Access
Memory）”。FRAM 应用于智能卡及 IC 卡等卡片领域、电力仪表及产业设备等产业领域，
以及医疗设备及医疗 RFID 标签等医疗领 域。近年来，还被应用于可穿戴设备、工业机器人
以及无人机中。以下相关产品资料可供下载。
FRAM 产品特性
FRAM（Ferroelectric Random Access Memory）是一种融合了在断电的情况下也能保留
数据的非易失性、随机存取两个特长的铁电随机存储器（内存）。FRAM 的数据保持，不仅
不需要备用电池，而且与 EEPROM、FLASH 等传统的非易失性存储器相 比，具有优越的高
速写入、高读写耐久性和低功耗性能。
FRAM 产品阵容
串行接口存储器的产品阵容有 16Kbit 至 4Mbit 的 SPI 接口产品，以及 4Kbit 至 1Mbit 的
I2C 接口产品。电源电压除主要的 3.3V 工作产品外，正在扩充 1.8V 工作产品。封装形式除
能够与 EEPROM 及串行闪存兼容的 SOP 外，还提供可穿戴设备用 SON（Small Outline
Non-leadedpackage）及 WL-CSP（Wafer Level Chip Size Package）等超小型封装形
式的产品。
同时，使用 TSOP 或 SOP 封装形式提供 256Kbit 至 4Mbit 的并行存储器。在利用 SRAM 及
数据保存用电池供电的应用中，并行存储器被用作进一步降低能耗或减少电池的解决方案。
FRAM 产品系列
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