烷基化多孔硅的制备与表征 (2005年)

以p型单晶硅作为研究对象，采用电化学阳极氧化方法制备新鲜多孔硅以及与十二碳烯进行氢化硅烷化反应形成烷基化多孔硅，利用扫描电子显微镜、红外光谱仪、荧光光谱仪等表征烷基化多孔硅的形态、组成、光致发光、耐碱性等。结果表明，新鲜多孔硅表面呈微米级长方形块状结构，含大量Si-H。（菇：I，2，3）et，而氢化硅烷化反应后其表面则变为岛状结构，且出现与烷基有关的C-H键伸缩振动峰；延长氢化硅烷化反应时间，所得多孔硅光致发光峰值强度增加，峰位蓝移，耐碱性有明显提高。