SRAM有高速和不用刷新等优点，被广泛用于高性能的计算机系统。由于半导体工艺技术的提高以及存储系统多方面的需要，存储器件日益向高速、高集成方向发展，在使系统功能强大的同时，也增加了系统的复杂性，给电路的故障诊断带来了不小的困难[12]。由于存储器功能和结构的复杂性，设计者为了正确地处理数据和正常地运行用户的程序，必须保证SRAM单元的寻址、取指令以及计算正确，对程序或数据存储单元的正确操作是很重要的方面，因此保证存储器的正常、稳定工作是系统稳定工作的前提。本文主要是通过对常见的SRAM故障问题的分析，运用March C算法，以FPGA构建成的SRAM自检测试电路对SRAM系统进行故障检测与修复。
在电子工程领域，基于FPGA（Field-Programmable Gate Array）的SRAM（Static Random-Access Memory）自测试研究是确保系统可靠性和稳定性的重要环节。SRAM因其高速度和无需刷新的优势，常用于高性能计算系统。随着半导体工艺技术的进步和存储系统需求的多元化，SRAM正朝着更高的速度和集成度发展，这不仅增强了系统功能，同时也带来了故障诊断的挑战。
SRAM的故障模型是理解其测试方法的基础。故障模型主要包括固定故障（Stuck-At Faults）、开路故障（Open Faults）、耦合故障（Coupling Faults）和跳变故障（Transition Faults），以及由地址译码错误引起的单元阵列故障。固定故障指的是某个存储单元的位始终为0或1；开路故障则是单元无法导通，表现为固定在0或1；耦合故障涉及单元间或位间的逻辑变化相互影响；跳变故障则指单元无法在规定时间内完成数据翻转；地址译码错误则可能导致无法正确访问存储单元。
针对这些故障，SRAM的测试方法有多种。直接存取测试通过测试设备直接访问SRAM阵列，能实现多种高级测试算法，但可能受限于测试设备的存储能力和成本，以及芯片引脚数量。利用嵌入式微处理器间接测试存储器，可以通过执行特定程序来检查SRAM的读写功能，这种方法灵活但可能无法达到全速测试。内存内建自测试（MBIST）则是在SRAM周围构建一套自测试电路，自动化生成测试模式并判断结果，这种方法更全面且不依赖外部设备。
March C算法是一种常用的SRAM测试算法，特别适用于检测存储单元阵列的故障。该算法通过特定的测试序列激发潜在的故障，然后通过比较预期输出和实际输出来识别异常。在FPGA平台上实现March C算法，可以构建出灵活且高效的SRAM自检测试电路，能有效检测并修复SRAM中的各种故障。
基于FPGA的SRAM自测试研究是确保计算机系统稳定运行的关键技术。通过对SRAM故障模型的理解和采用如March C等测试算法，设计者可以构建出能在系统运行时自我检测和修复故障的机制，从而提高系统的可靠性，并降低维护成本。在现代电子设计中，这样的自测试能力是不可或缺的，因为它能够在不影响正常运行的情况下，及时发现并解决潜在的问题，保障系统的高效和安全。
