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InAs/GaSb II类超晶格材料台面腐蚀研究
InAs/GaSb II类超晶格材料台面腐蚀研究
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2021-03-24
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InAs/GaSb II类超晶格材料台面腐蚀研究
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生长中断法生长 InAs / GaSbⅡ 型超晶格材料 表面形貌的研究
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生长中断法生长InAs/GaSbⅡ型超晶格材料表面形貌的研究
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利用分子束外延技术,基于控制快门开关顺序的生长中断法,在GaSb衬底上生长了10周期和20周期的InAs(10 monolayer, 10 ML)/GaSb(10 ML) Ⅱ型超晶格材料。实验中,基于软件模拟对生长参数进行调控分析,实现了As-Sb高效的置换,有效地降低了界面的应力。通过双晶X射线衍射和原子力显微镜对超晶格样品表面形貌进行测试和表征,应变分别减少到0.64%和0.56%,均方根粗糙
MBE生长和II型InAs / GaSb超晶格LWIR材料和具有势垒结构的光电探测器的表征
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320×256元InAs/GaSb II类超晶格中波红外双色焦平面探测器
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报道了320×256元InAs/GaSb II类超晶格红外双色焦平面阵列探测器的初步结果.探测器采用PN-NP叠层双色外延结构,信号提取采用顺序读出方式.运用分子束外延技术在GaSb衬底上生长超晶格材料,双波段红外吸收区的超晶格周期结构分别为7 ML InAs/7 ML GaSb和10 ML InAs/10 ML GaSb.焦平面阵列像元中心距为30μm.在77 K时测试,器件双色波段的50%响应
InAs / GaSb II型超晶格光电二极管的钝化
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128×128元InAs/GaSb Ⅱ类超晶格红外焦平面探测器
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报道了128×128元InAs/GaSb Ⅱ类超晶格红外焦平面阵列探测器的研究成果.实验采用分子束外延技术在GaSb衬底上生长超晶格材料.红外吸收区结构为13 ML(InAs)/9 ML(GaSb),器件采用PIN结构,焦平面阵列光敏元大小为40μm×...
分子束外延生长的InAs / GaSb II型超晶格的界面层控制和优化
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我们在论文中报道了InAs / GaSb超晶格结构的分子束外延生长过程中InSb界面性能的优化和控制。 首先制备了具有相同结构但生长方法不同,常规分子束外延(MBE)和迁移增强外延(MEE)的用于界面层的样品,并比较了它们...
基二类超晶格中波红外焦平面探测器技术 (2014年)
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本文报道了中波InAs/GaSb Ⅱ类超晶格材料的设计、生长、器件工艺技术,制备出了高性能的128×128中波InAs/GaSb Ⅱ类超晶格红外焦平面探测器,像元暗电流密度降到1.8×10-7 A/cm2,量子效率达36.64%。
InAs / GaSb量子阱系统中杂化隙的电场依赖性
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InAs/GaSb superlattices for photodetection in short wavelength infrared range
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The first report of a short wavelength infrared detector based on type II InAs/GaSb superlattices is presented. Very short period superlattices containing InAs (2ML)/GaSb (8ML) superlattices (SLs) ...
论文研究 - 基于InAs / InP量子缝和InAs / GaAs量子点的pin激光异质结构的载流子传导机理研究
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Sulfurizing Method for Passivation Used in InAs/GaSb Type-II Superlattice Photodetectors
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InAs/GaSb Ⅱ类超晶格作为红外探测材料具有优越的光电性能,其量子效率高,暗电流小,微带带隙可调,是第三代红外焦平面探测器的最优选材料。本文对长波段超晶格材料分子束外延技术进行了优化,设计了“两步法”界面...
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