标题“Sulfurizing Method for Passivation Used in InAs/GaSb Type-II Superlattice Photodetectors”所涉及的知识点主要集中在利用硫化方法进行InAs/GaSb II型超晶格光电探测器的钝化处理。此技术的应用对于提高光电探测器的性能至关重要，尤其是在中波红外（MWIR）和长波红外（LWIR）探测器领域。
描述中提到的光电探测器暗电流是影响探测器灵敏度的直接因素，因此，化学和物理钝化技术被证明是降低光电探测器表面暗电流的有效手段。InAs/GaSb II型超晶格作为红外传感材料，其在众多领域尤其是军用方面有着重要的应用。研究团队选择了阳极硫化钝化和SiO2钝化两种方法，并进行了比较研究。实验结果表明，阳极硫化处理的设备暗电流比未经钝化的设备低两个数量级，而使用反应磁控溅射SiO2方法的效果并不理想。在77K的条件下，从硫化实验中得到的最高R0A为657Ω·cm²。最终，经过制作后测量的截止波长为5.0微米。黑体测试结果显示，在3.33微米处的峰值量子效率（QE）为68%，峰值探测率为7.16×10^11 cm·Hz^1/2/W。
基于上述内容，以下是与该标题和描述相关的详细知识点：
1. 硫化钝化方法：这是一种表面处理技术，用于提高半导体材料的电学性能。它通常涉及在半导体表面沉积一层硫化物，比如硫化砷（As2S3）、硫化铟（In2S3）等，通过这种化学处理，可以在材料表面形成一种保护层，减少表面缺陷态和非辐射复合，从而降低表面暗电流，提高探测器的性能。
2. InAs/GaSb II型超晶格（Type-II Superlattice）：II型超晶格是两种不同能带结构的半导体材料交替堆叠形成的复合结构。InAs和GaSb的超晶格结构具有独特的电子特性，尤其是在长波和中波红外探测领域。这种结构能够设计出具有特定波长响应的光电探测器，使其成为红外探测领域的重要材料。
3. 暗电流（Dark Current）：光电探测器中的暗电流是指在没有光照条件下，器件内部由于热激发产生的电流。在红外探测器中，暗电流是影响探测灵敏度的关键因素。暗电流越低，探测器的性能通常越好。
4. 化学和物理钝化技术：钝化是表面处理的一个重要步骤，它能够消除或减少表面态，提高器件稳定性并降低暗电流。化学钝化主要通过表面反应去除表面悬挂键，物理钝化则是通过在器件表面覆盖保护膜来隔离环境因素对器件性能的影响。
5. SiO2钝化：二氧化硅（SiO2）作为钝化层广泛应用于半导体器件中。它可作为电介质层，帮助隔绝电流的泄漏通道，减少表面态的影响。然而，从给出的内容来看，SiO2钝化在此类超晶格红外探测器中的效果并不理想。
6. 探测率（Detectivity）和量子效率（Quantum Efficiency）：探测率是衡量光电探测器灵敏度的一个重要参数，与暗电流和噪声等参数密切相关。量子效率表示探测器将入射光子转换为电子的能力，是评估探测器性能的另一个关键指标。
7. 红外辐射（Infrared Radiation）和红外探测技术：红外辐射是电磁谱中人眼不可见的部分，波长范围在0.75至1000微米之间。红外探测技术用于感测红外辐射，广泛应用于工业、生物、化学、天文和军事等研究领域。
8. 黑体测试（Blackbody Test）：黑体测试是一种测量探测器性能的标准测试方法。通过黑体源产生的标准红外辐射，可以准确测量探测器的响应特性，如峰值量子效率和峰值探测率。
以上这些知识点详细解释了硫化钝化方法在InAs/GaSb II型超晶格红外光电探测器中的应用原理、效果评估以及在提高探测器性能方面的贡献。这对于了解相关光电探测器技术及其发展方向具有重要意义。
