980 nm半导体激光器高反膜的优化设计 (2011年)

通过软件模拟和理论分析,对980 nm半导体激光器高反膜的结构进行了优化设计。选定 Ta2O5 /SiO2作为 980 nm半导体激光器的高反膜材料,通过软件 TFCalc进行仿真,对3种不同膜系结构的反射率和电场强度进行了对比分析,对镀膜后和未镀膜的器件分别进行测试。仿真结果表明:膜系结构为 Al2O3( Ta2O5 / SiO2) 7Ta2O5的高反膜性能良好,镀膜后的阈值电流减小了20 mA左右,斜率效率从0.48增加到了0.86。