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高功率1060nm半导体激光器波导结构优化.pdf
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高功率1060nm半导体激光器波导结构优化.pdf
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高功率1060nm半导体激光器波导结构优化
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针对高功率1060 nm半导体激光器的外延结构,分析了影响器件功率进一步提高的原因.根据分析,优化了激光器的量子阱结构和波导结构,并理论模拟了波导宽度对模式和输出功率的影响.根据不同模式的光场分布,对量子阱有源区的位置进行了优化,并设计了非对称、宽波导结构.对不同模式的限制因子进行了计算,结果表明,优化后的非对称波导结构能够在降低基模的限制因子的同时,增加高阶模式的损耗.
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高功率980 nm半导体激光器波导结构优化
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为了提高980 nm半导体激光器的出光功率，在外延结构中加入了扩展波导，并优化了激光器的垒层厚度和波导层组分，将光场以有源区为中心的对称分布转化为以扩展波导和有源区同为中心的对称分布，降低了有源区限制因子，...
808 nm波长高功率阵列半导体激光器
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报道了采用MBE外延生长方法制备的叠层阵列CW工作型高功率半导体激光器.激光器的生长结构采用经过优化的单量子阱渐变折射率分别限制波导结构,激光器芯片结构为标准的CM条,注入因子设计为60%.叠层装配采用了具有高效...
大功率高光束质量1060 nm大光腔非对称波导半导体激光二极管
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设计并制备了大功率高光束质量的1060 nm 波长的非对称波导半导体激光二极管.本激光二极管包含压应变InGaAs/GaAs双量子阱和GaAs/AlGaAs分别限制结构。为提高激光二极管的大功率性能，设计激光器二极管的垂直结构具有...
980 nm高功率脊型波导半导体激光器
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介绍了高功率980 nm 脊型波导半导体激光器的设计及制造。为了减少腔面处的光功率密度，设计了宽波导结构。利用常规工艺获得了最大500 mW 输出的器件，同时灾变光学损伤阈值达到了560 mW。
双峰衬底结构的高功率半导体激光器
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高功率半导体激光器微通道热沉的模拟优化
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针对原curamik微通道热沉因进水通道流量不均而导致散热不均匀的现象，基于FLUENT软件对其进行数值模拟。从内部结构及热沉材料方面提出优化方案，并进一步获得在热沉高度和进出口宽度为固定值的条件下，微通道宽度、间距及通道脊长度3个因素分别对芯片表面温升和压降的影响规律。根据优化的参数，通过选区激光熔化技术制备获得纯镍微通道热沉并进行芯片封装测试。结果显示，微通道热沉散热均匀，热阻为0.39 K/
极低内部光学损耗975 nm半导体激光器
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通过对波导结构和P包层的掺杂分布进行优化,减少了光场与P包层掺杂区的交叠,从而减小了半导体激光器的内部光学损耗。同时使用宽带隙GaAsP作为势垒层可以减少有源区载流子泄露,实现了内部光学损耗为0.259 cm -1。所...
808 nm大功率无铝有源区非对称波导结构激光器
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对GaAsP/GaInP张应变单量子阱(SQW)非对称波导结构激光器的光场特性进行了理论分析,设计了波导层厚度,并制作了波长为808 nm的无铝有源区大功率半导体激光器。器件综合特性测试结果为:腔长900 μm器件的阈值电流密度...
非对称超大光腔980 nm大功率半导体激光器
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优化了有源区的金属有机物化学汽相沉积(MOCVD)外延生长条件，结合管芯电极制备及腔面镀膜等工艺条件，制备了腔长为4 mm的2 μm超大光腔端面发射980 nm半导体激光器管芯。在室温、注入电流为30 A且未采取任何主动散热...
大功率低阈值半导体激光器研究
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优化p型波导层厚度提高半导体激光器电光转换效率
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设计并制作了非对称大光腔波导结构,利用分布布拉格反射技术,实现了980 nm 波段高功率半导体激光器的稳定输出。在实验过程中,采用电子束光刻技术,结合感应耦合等离子刻蚀工艺,利用SiO
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在分子束外延(MBE)生长的基础上,采用脉冲阳极氧化工艺制作了非对称、宽波导InGaAlAs/AlGaAs/GaAs应变双量子阱(DQW)结构准连续(QCW)线阵半导体激光器,实现了808 nm波段线阵激光器的高效率、高功率运转。脉冲阳极氧化...
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