产品型号:NTJS4160NT1G源漏极间雪崩电压VBR(V):30源漏极最大导通电阻rDS(on)(mΩ):60最大漏极电流Id(on)(A):3.200通道极性:N封装/温度(℃):SC88-6/-55~150描述:30V,3.2A,N沟道MOSFET价格/1片(套):暂无
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