一种高PSR带隙基准源的实现
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2020-10-19
11:25:54
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一种高一种高PSR带隙基准源的实现带隙基准源的实现
本文针对传统基准电压的低PSR以及低输出电压的问题，通过采用LDO与带隙基准的混合设计，并且采用BCD
工艺，得到了一种可以输出较高参考电压的高PSR(电源抑制)带隙基准。此带隙基准的1.186 V输出电压在低频
时PSR为-145 dB，在0～1GHz频带内，最高PSR为-36 dB。在-50～150℃内，1.186 V基准的温漂为
7.5ppm/℃。
电子镇流器的芯片内数字部分的干扰，这就给芯片的电源带来较大的干扰。因此对芯片内基准的中频PSR(Power Supply
Rejection，电源抑制)有较大要求。本文从此角度在Brokaw带隙基准的基础上进行改进，采用LDO与基准的级联设计来增加其
PSR。
1 电路结构
1.1 基准核心
目前的基准核心可以有多种实现方案：混合电阻，Buck voltage transfer cell，但是修调复杂，不宜工业化。本设计采用
Brokaw基准核心，其较易实现高压基准输出，并且其温漂、PSR及启动特性均较好。本文采用的改进的Brokaw基准核心的结
构如图1所示。
对此核心的分析：
三极管的输出电流公式：
其中I是三极管射极电流，Is与射极面积成正比，n为一常数，取1。这里，取VQC2：VQC1=8：1，因此Is2=8xIs1，又
I1=I2，分别代入(1)并相除，整理得：
其中Vbe1是负温度系数，Vt是正温度系数，RC2与RC1是同类电阻，温度系数相抵消，选择合理的RC2/RC1，就可以得
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