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通过金属有机化学气相沉积法在6H-SiC衬底上生长的六方相纯宽带隙epsilon-Ga2O3薄膜
通过金属有机化学气相沉积法在6H-SiC衬底上生长的六方相纯宽带隙epsilon-Ga2O3薄膜
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通过金属有机化学气相沉积法在6H-SiC衬底上生长的六方相纯宽带隙epsilon-Ga2O3薄膜
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