表面穹顶结构大大增强了硫超掺杂硅的子带隙光吸收

硫超掺杂硅通常通过硫离子注入和纳秒激光制备退火。它具有光滑的表面和30％的低子带隙吸收率。在这里，我们报道硅晶片的表面在经过上述两个过程处理之前已经化学纹理化，这大大提高了超掺杂硅在子带隙波长下的光吸收率从30％增至70％，从65％增至70％。可见光波长的80％用于形成的圆顶结构的抗反射特性。因此，表面纹理Craft.io将是基于硫超掺杂硅材料进行器件开发的必要步骤。