MSM结构Mg

采用射频磁控溅射，通过传统的紫外曝光和湿法腐蚀的方法，制备了不同电极间距的金属半导体金属(MSM)结构Mg0.2Zn0.8O可见盲光电探测器。研究了器件的暗电流和响应度随电极间距的变化关系，当施加的电压没有达到贯穿电压的时候，暗电流和响应度均随着电极间距的增加而减小，并对其具体的机制进行了研究。