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NTQD6968NR2G的技术参数
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2020-12-11
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产品型号:NTQD6968NR2G源漏极间雪崩电压VBR(V):20源漏极最大导通电阻rDS(on)(mΩ):22最大漏极电流Id(on)(A):7通道极性:N沟道封装/温度(℃):TSSOP8 /-55 ~150描述:7.0 A, 20 V双功率MOSFET价格/1片(套):¥4.40
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weixin_38564718
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