采用Mult-tap标准单元PGV以获取精准的Power EM违例

电源电子迁移（Power Electromigration，Power EM）检查在高性能芯片设计中起重要作用。在Voltus进行电源网格分析时，由于在每个标准单元的电源网格视图（Power Grid View，PGV）生成过程中通常只抽取一个电流接入点（tap），从而流入每个标准单元的电流都聚集到一点。但对于大尺寸标准单元, 电流实际上是分布到各个接触孔而非集中到一点，因此Power EM结果比实际情况悲观很多。本文描述了一种新的方法，即只对在关键路径上使用并具有高翻转率的大型时钟单元抽取多电流接入点（multi-tap）PGV。通过这种方法，几乎不增加运行时间和内存消耗而使得Power EM准确性得到提高。