金属/ n-Ge系统中的肖特基势垒高度调制

由于锗的载流子迁移率比Si [1]高，因此作为半导体器件的助推剂，锗受到了广泛的关注。然而，由于n-Ge和金属之间的费米能级钉扎作用强，难以实现低电阻欧姆接触[2-3]。为了实现非欧姆和高电阻率的接触，我们必须固定费米能级。据报道，有几种方法可以实现这一目标[3-8]。在这里，我们通过插入超薄绝缘体层来研究nGe /金属中的肖特基势垒高度调制。