产品型号:CY62128BLL-70SXC位密度:1M组织结构:128K x 8最大工作电流(mA):15最大静态电流(μA):15工作电压(V):4.5~5.5速度(ns):70封装/温度(℃):32(450-Mil)SOIC I/0~70价格/1片(套):暂无
**CY62128BLL-70SXC技术参数详解**
CY62128BLL-70SXC是一款由Cypress Semiconductor公司生产的动态随机存取存储器（DRAM），广泛应用于各种电子设备中，如嵌入式系统、微控制器和其他需要临时存储数据的应用。以下是该芯片的关键技术参数及其详细解释：
1. **位密度**：1M
这表示该内存芯片的总存储容量为1百万位（1M），在组织结构为128K x 8的情况下，这意味着有128K（即131,072）个存储单元，每个单元可以存储8位数据。因此，总共有1,048,576位（1M）的数据存储能力。
2. **组织结构**：128K x 8
这意味着内存阵列由128K个字组成，每个字是8位宽。这种结构表明该器件具有并行数据传输能力，每次可以同时读写8位数据。
3. **最大工作电流**：15mA
在正常操作条件下，该芯片的最大工作电流为15毫安。这个值是设备在最大负载下消耗的电流上限，过高可能导致过热或电源效率降低。
4. **最大静态电流**：15μA
静态电流是指在不进行数据读写操作时，芯片仍然消耗的电流。这里的15微安表明，在待机或空闲模式下，该芯片的功耗非常低，有利于节能。
5. **工作电压**：4.5~5.5V
这款芯片可以在4.5伏特到5.5伏特的电压范围内正常工作，这给设计者提供了一定的电源电压裕量，使得它能在广泛的电源条件下游刃有余。
6. **速度**：70ns
速度参数表示数据访问时间，70ns指的是从发出命令到读取或写入数据完成所需的时间。这意味着在理想条件下，该芯片的最高工作频率可达约14.3MHz，适用于对速度要求不那么苛刻的应用场景。
7. **封装/温度**：32(450-Mil)SOIC I/0~70
这里的封装是指芯片的物理形式，32引脚小外形集成电路（SOIC）封装，尺寸为450密尔，是一种常见的表面贴装封装。I/O~70可能是指在70°C的温度下，芯片的输入/输出功能仍然正常。此外，芯片通常能在更宽的温度范围内工作，例如-40°C至+85°C，但具体范围应在产品规格书中明确。
8. **价格/1片(套)**：暂无
由于信息未提供具体的价格，用户需要参考Cypress Semiconductor或分销商的官方报价来获取实际的购买价格。
总结来说，CY62128BLL-70SXC是一款低功耗、中等速度的DRAM芯片，适合对存储容量有一定需求且对速度要求不高的应用。其紧凑的封装和宽泛的工作电压范围使其在各种电子设计中具有较高的灵活性。
