ZnO晶体在辐射探测领域的应用现状及潜力,严俊,张清民,ZnO晶体是一种宽禁带半导体材料,具有强的抗辐照特性。掺杂对ZnO晶体的光输出和光衰减时间改善很大,当掺杂Ga后,其光衰减时间可达0.4
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