根据提供的文件内容，我们可以从标题、描述和部分内容中提取出以下知识点：
1. 该研究主题是关于一种基于中间超薄硅层的创新Ge-SiO2键合技术。
2. 研究中介绍了一种低温下的Ge到SiO2晶圆键合技术，该技术利用在Ge晶圆上通过超高真空化学气相沉积（UHV/CVD）系统生长的中间超薄硅层（厚度为1nm）。
3. 文中提出了由于超薄硅层在沉积后没有完全氧化，因此能够有效抑制不稳定GeOx层的形成和分解。
4. 文中还提到，在后退火处理后，观察到几乎无空隙的键合界面，这一现象归因于超薄硅层的存在。
5. 研究说明了通过稀释的NH4OH溶液处理后，Si/Ge晶圆表面的亲水性比纯Ge晶圆表面的更高，这主要是因为Si/Ge晶圆表面的-OH基团比Ge晶圆表面更多。
6. 研究结果展示了通过这种键合技术，Ge/Si-SiO2晶圆对的键合强度高达4.39MPa，这是由于后退火过程中在键合界面形成更多的共价键（Si–O–Si）所致。
7. 该技术具有工艺简单、功耗低和速度快的优势，因此被广泛应用于微电子和光电子领域，以提高半导体器件的性能。
8. 研究还强调了随着硅CMOS设备尺寸的不断缩小，需要在高速领域应用中提高载流子迁移率的重要性，而这种新型键合技术有助于实现这一目的。
9. 该研究由Danfeng Mao、Shaoying Ke、Shumei Lai、Yujiao Ruan、Donglin Huang、Shaoming Lin、Songyan Chen、Cheng Li、Jianyuan Wang和Wei Huang等人完成，研究工作受到了各种基金和部门的支持。
10. 研究论文发表在《JMaterSci:MaterElectron》（2017年，第28卷，10262-10269页），并通过DOI号10.1007/s10854-017-6793-x进行了索引。
基于上述分析，我们可以看出这项研究在半导体器件制造领域具有潜在的应用价值，尤其是在硅绝缘体（SOI）技术中，通过改善键合工艺来提升器件性能，尤其是在微电子和光电子行业。通过在Ge晶圆上施加超薄硅层，能够有效防止不稳定层的形成，并确保键合界面的高质量，从而增强键合强度和器件的可靠性。这些进展对于设计和制造高性能的CMOS设备至关重要。
