在这封信中，在室温下系统地研究了三苯基衍生石墨烯在常规SiO2 / Si基底和十八烷基三甲氧基硅烷（OTMS）自组装单层（SAM）功能化的SiO2 / Si基底上的不同散射机理。 与传统的SiO2 / Si衬底上的器件相比，具有OTMS-SAM改性的SiO2 / Si衬底的源自亚苯撑的GFET表现出显着的载流子密度依赖性场效应迁移率。 定量分析表明，在环境温度下，主要的散射源会影响裸SiO2衬底上的石墨烯器件和OTMS钝化的SiO2衬底上的石墨烯器件的载流子平均自由程，这是带电杂质引起的长距离散射（类似于5.34 x 10（11）） cm（-2）的载流子密度）和共振散射（短距离散射，密度类似于9.77 x 10（10）cm（-2）的载流子）。 我们的发现阐明了在室温下实现GFET器件性能显着改善的潜在主要因素。
