碳纳米管薄膜的制备及处理对场发射特性的影响 (2006年)

采取直接在硅片上真空蒸镀NiCr合金作为催化剂，用化学气相沉积法制备了碳纳米管薄膜。并采用H2等离子体球处理碳纳米管薄膜，测试其场发射特性，并与未经处理的碳纳米管薄膜进行了比较，得到碳纳米管薄膜开启场强有所降低，为1～1.2V/μm。对碳纳米管薄膜进行老炼处理，最大场发射电流由12.3μA提高到34μA。