基于运行模式切换的低不匹配误差高动态范围CMOS智能温度传感器

提出了一种新的电路结构,通过两种运行模式的切换,可以在降低CMOS智能温度传感器不匹配误差的同时,保证输出有尽可能高的动态范围。理论分析得出,相对于传统结构,新结构的不匹配误差能减小66%以上。0.18μm工艺环境下的仿真结果表明,在-55℃~125℃的温度范围内,输出能达到90%左右的动态范围,和Pertijs提出的改进结构相比,有较大幅度的提高。芯片实测结果在-10℃~100℃的温度范围内证实了这个结论。