浸涂和共烧结方法制备Sm0.2Ce0.8O1.9电解质膜

浸涂和共烧结方法制备Sm0.2Ce0.8O1.9电解质膜，杨涛，赵春花，采用浸涂及共烧结法在1200oC成功制备了超致密的厚度为11μm的Sm0.2Ce0.8O1.9（SDC）电解质膜。该膜以La0.8Sr0.2Cu0.1Fe0.9O3（LSCF）-SDC为支撑体，SE