在SOI衬底上具有n区受控阳极的新型横向IGBT

提出并讨论了一种新型的在SOI衬底上的横向绝缘栅双极型晶体管（LIGBT）结构，称为n区受控阳极LIGBT（NCA-LIGBT）。 n区域可控阳极概念可实现更快的开关速度，有效的面积使用以及正向IV特性中的有效抑制NDR。 关键参数（n区掺杂浓度，长度，厚度和p基掺杂浓度）的仿真结果表明，NCA-LIGBT在关断时间和导通电压降之间具有良好的权衡。 提出的LIGBT是用于功率IC（例如PDP扫描驱动器IC）的新型器件。 ？ 2009中国电子学会。