工业电子中的凌特公司推出反激式控制器LT3750

凌特公司（Linear Technology Corporation）推出反激式控制器 LT3750，可对大电容器快速充电至高达 1,000V。LT3750 驱动一个外部大电流 N 沟道 MOSFET，能够在低于 300ms 的时间内将 100uF 的电容器充电至 300V，非常适用于专业照相闪光灯系统、射频保安系统、库存控制系统和专门的高压电源。该器件的 3V 至 24V 输入电压范围使其能够用多种电源工作，其获得专利的边沿模式控制电路最大限度地降低了转换损耗，并缩小了变压器尺寸。该器件采用纤巧的 MOSP-10 封装，可提供非常紧凑的高压/大电流电容器充电器解决方案。　　LT3750 的主 凌特公司的LT3750是一款专为工业电子应用设计的高效反激式控制器，尤其适合需要快速充电大电容的系统。这款控制器的最大亮点在于它能将电容器充电至高达1,000V，这在专业照相闪光灯系统、射频保安系统、库存控制系统以及高压电源等应用中具有广泛的应用潜力。 LT3750通过驱动一个外部的大电流N沟道MOSFET，能够在短短300毫秒内将100微法的电容器充至300V，显示出了其出色的充电速度和高功率处理能力。这种高速充电能力对于那些需要瞬间大能量释放的设备至关重要，如专业摄影的闪光灯系统，需要在短时间内提供大量的电力来实现瞬时亮度。 在输入电压方面，LT3750支持3V到24V的宽范围，这使得它能适应多种不同的电源环境，增强了其在不同应用场景下的灵活性。此外，它采用了专利的边沿模式控制电路，显著降低了转换损耗，同时减小了变压器的尺寸，这对于优化系统设计和提高空间利用率非常有利。LT3750的封装形式为纤巧的MOSP-10，为设计紧凑型高压、大电流电容器充电器提供了可能。 在功能特性上，LT3750采用了主边检测拓扑，消除了对外部输出电压分压器的需求，简化了电路设计。利用单个大电流N沟道MOSFET，它能实现超过90%的充电效率，78mV的低电流检测确保了精确的峰值开关电流控制，同时最大化了效率。输出电压可以通过简单的变压器匝数比和两个外部电阻进行调整，使得系统配置更加灵活。 LT3750还提供了充电引脚，让用户能够完全控制充电过程，而DONE引脚则指示电容器是否已达到预设的电压值并停止充电，确保了系统的安全性和可靠性。这款控制器在10引线MSOP-10封装的LT3750EMS版本中可供货，单价在大批量购买时为3.50美元。 凌特公司的LT3750反激式控制器以其高效、灵活和紧凑的设计，为工业电子领域中的高压电容器充电需求提供了创新的解决方案，是满足高性能和严苛环境应用的理想选择。