已经研究了在皮秒级脉冲电子以3.5 MeV能量(超快辐照)和最大剂量为3.3×1013 el / cm2的皮秒级脉冲电子辐照下的n型硅晶体中载流子的重组过程。 在模拟自然环境(空间,半导体探测器等)的人工条件下进行了原位测量。 使用配备有特殊前置放大器的高速示波器,对实验中观察到的现象进行了实验研究。 在辐射到特定剂量之后,获得了半导体平衡条件的恢复时间(“特性时间”)的一些特殊性。 因此,发现“特征时间”的值与在非原位状态下测量的非平衡(少数)电荷载流子的寿命相差一个数量级。 然而,它们作为辐射剂量的函数的行为是相似的,并且随着剂量的增加而降低。 使用霍尔效应测量对电物理参数对辐照剂量的依赖性进行的研究表明,在特定剂量下,由此产生的辐射缺陷对电荷载流子的浓度影响不大,但会显着改变其散射特性,从而影响半导体载流子复合的时间参数。 这项研究使用了一种新颖的固态辐射物理学方法,除了传统的辐射前和辐射后,还进行了原位测量。