NTHD4P02FT1G的技术参数

需积分: 0 0 下载量 165 浏览量 2020-12-11 08:53:29 上传 评论 收藏 26KB PDF 举报
preview
试读
1页
资源详情
资源评论
评论 收藏
weixin_38535132
  • 粉丝: 5
  • 资源: 1016
上传资源 快速赚钱
voice
center-task 前往需求广场，查看用户热搜

相关推荐

pdf

技术参数

产品型号:MC68HC908JL3ECP工作电压(V):3.0, 5.0Flash(字节):4KRAM(字节):128EEPROM(字节):－定时器:2×16bit IC,OC,或PWMI/O:23串行通讯:－A/D:12×8bitPWM:2×16bitCOP:Y最大总线频率(MHz):8附加资料:RC振荡可选,LVR,6LED驱动封装/温度(℃):28 PDIP/-40~85价格/1片(套):￥
pdf

SN74LVC1T45DCKT的技术参数

产品型号:SN74LVC1T45DCKT封装/温度(℃):SC70-6/-40~85描述:一位1.6V~5.5V电平转换收发器价格/1片(套):￥4.20  
pdf

X9221AWSI的技术参数

产品型号:X9221AWSI工作电压(V):5总阻值(kΩ):10/10端电压(V):-5~5抽头数:64接口方式:I2C电阻增加方式:线性工作电流(mA):3封装/温度(℃):20SOIC/-40~85描述:双DCP,抽头位置掉电自动保存价格/1片(套):￥41.98  
pdf

CD4508BE的技术参数

产品型号:CD4508BE封装/温度(℃):PDIP-24/-55~125描述:CMOS双4位锁存器价格/1片(套):￥9.70  
pdf

SN74F240DW的技术参数

产品型号:SN74F240DW封装/温度(℃):SOIC-20/0~70描述:八缓冲器/驱动器(三态反相输出)价格/1片(套):￥.80  
pdf

NTHD4102PT1G的技术参数

产品型号:NTHD4102PT1G源漏极间雪崩电压VBR(V):1源漏极最大导通电阻rDS(on)(mΩ):[email protected]最大漏极电流Id(on)(A):1通道极性:P/P沟道封装/温度(℃):ChipFET/-55~150描述:-4.1A, -20V双功率MOSFET价格/1片(套):￥2.90...
pdf

NTHD4502NT1G的技术参数

产品型号:NTHD4502NT1G源漏极间雪崩电压VBR(V):30源漏极最大导通电阻rDS(on)(mΩ):85最大漏极电流Id(on)(A):3.900通道极性:N封装/温度(℃):ChipFET/-55~150描述:30V,3.9A,N沟道双MOSFET价格/1片(套):暂无 
pdf

NTHD3101FT3G的技术参数

产品型号:NTHD3101FT3G源漏极间雪崩电压VBR(V):20源漏极最大导通电阻rDS(on)(mΩ):80最大漏极电流Id(on)(A):4.400通道极性:P封装/温度(℃):ChipFET/-55~150描述:20V,4.4A,P沟道MOSFET,带肖特基二极管价格/1片(套):暂...
exe

摩托罗拉A8中英双语写频软件

摩托罗拉A8中英双语写频软件 windows XP系统
pdf

UCC38C42D的技术参数

产品型号:UCC38C42D关断功能:No输出方式:单路图腾柱输出电流(A):1频率最大值(kHz):1000基准电压(V):5启动电流(μA):50工作电流(mA):2.300输入电压最小值(V):9输入电压最大值(V):20PWM输出:1封装/温度(℃):8SOIC/0~70描述:BICMOS电流模式PWM价格/1片(套):￥14.80  
pdf

SN74HC20N的技术参数

产品型号:SN74HC20N封装/温度(℃):PDIP-14/-40~85描述:双4输入正与非门价格/1片(套):￥1.30  
pdf

MBRD835LT4的技术参数

产品型号:MBRD835LT4反向重复峰值电压VRRM(max)(V):35平均整流器前向电流IO(max)(A):8瞬间前向电压VF(max)@IF(V):[email protected]非重复峰值浪涌电流IFSM(max)(A):100瞬间反转电流IR(max)(mA):35封装/温度(℃):3DPAK/-65~125价格/1片(套):￥3.00  
pdf

BAV70LT1的技术参数

产品型号:BAV70LT1最小反向电压VR(V):70最大反向漏电流IR(?A):5正向恢复电压VF最小值(V):－正向恢复电压VF最大值(V):1最大二极管电容CT(pF ):1.500反向恢复时间trr(ns):6类型:双阴极封装/温度(℃):SOT-23/125(max)价格/1片(套):￥.20  
pdf

TPS2817DBVR的技术参数

产品型号:TPS2817DBVR工作电压最小值(V):4工作电压最大值 (V):40输出通道:1驱动器配置:非反相有效上拉内部稳压器:Yes峰值输出电流(A):2上升时间(ns):14下降时间 (ns):14传输延时(ns):24输入端:CMOS封装/温度(℃):5SOP/-40~125描述:单通道高速MOSFET驱动器带输入上拉电路,低成本价格/1片(套):￥8.40  
pdf

MM5Z36VT1的技术参数

产品型号:MM5Z36VT1齐纳击穿电压Vz最小值(V):34齐纳击穿电压Vz典型值(V):36齐纳击穿电压Vz最大值(V):38@Izt(mA):2齐纳阻抗Zzt(Ω):500最大功率PMax(W):0.100芯片标识:19封装/温度(℃):SOD523/-65~150价格/1片(套):￥.45  
pdf

TLE2425CD的技术参数

产品型号:TLE2425CD输入电压(V):4~40输出电压最小值(V):2.480输出电压典型值(V):2.500流出/吸入典型值(mA):20偏置电流典型值(μA):170偏置电流最大值(μA):250输入波动输出变化典型值(μV):1.500温度系数(ppm/℃)典型值:20输出阻抗(mΩ)典型值:7.500输出阻抗(mΩ)最大值:22.500封装/温度(℃):8SOIC/0~70描述:用于
pdf

X24C44P的技术参数

产品型号:X24C44P位度密:256结构:×16接口:串口工作电压 (V):4.5~5.5时钟速率:1MHz封装/温度(℃):DIP-8/0~70描述:内部SRAM+EEPROM结构价格/1片(套):￥7.98  
pdf

MURS105T3G的技术参数

产品型号:MURS105T3G峰值反向电压VRRM(V):50最大平均正向电流IO(A):1最大全周期正向压降VF(V):0.875最大非重复浪涌电流IFSM(A):40最大反向电流IR(mA):0.002封装/温度(℃):SMB/-65~175价格/1片(套):暂无  
pdf

MJE15033G的技术参数

产品型号:MJE15033G类型:PNP集电极－发射集最小雪崩电压VCEO(V):250集电极最大电流IC(Max)(A):8直流电流增益hFE最小值(dB):10直流电流增益hFE最大值(dB):－最小电流增益带宽乘积Ft(MHz):30总功耗PD(W):50封装/温度(℃):3TO-220/-65~150价格/1片(套):￥6.70  
pdf

P6SMB15CAT3G的技术参数

产品型号:P6SMB15CAT3G峰值反向工作电压VRWM(V):12.800雪崩电压VBRMin(V):14.300IT(mA):1最大反向电压(钳位电压)VC(V):21.200最大反向浪涌电流Ipp(A):28最大反向漏电流IR(uA):5芯片标识(MARK):15C封装/温度(℃):SMB/-65~150价格/1片(套):暂无  
pdf

NCP1212DR2G的技术参数

产品型号:NCP1212DR2G最大工作电压(V):28开关可承受电压(V)/电流(A):(External ref.)控制方式:PWM电流模式开关频率(KHz):200封装/温度(℃):SOIC-8/0~125描述:离线AC-AC开关调节器价格/1片(套):￥7.60  
pdf

NTF5P03T3的技术参数

产品型号:NTF5P03T3源漏极间雪崩电压VBR(V):30源漏极最大导通电阻rDS(on)(mΩ):100最大漏极电流Id(on)(A):5.200通道极性:P沟道封装/温度(℃):SOT-223/-55~150描述:－5.4A,－20V功率MOSFET价格/1片(套):￥3.10  
pdf

1SMB30CAT3G的技术参数

产品型号:1SMB30CAT3G峰值反向工作电压VRWM(V):30雪崩电压VBRmin(V):33.300IT(mA):1最大反向电压(钳位电压)Vc(V):48.400最大反向浪涌电流Ipp(A):12.400最大反向漏电流IR(uA):5芯片标识(MARK):MKC封装/温度(℃):SMB/-65~150价格/1片(套):￥1.50  
default

Qt 5实现串口调试助手 （源工程文件、0积分下载）

基于Qt 5实现串口调试助手，程序仅供参考，修改了之前十六进制接收0xA0--0xFF有误的问题，新增了窗口自适应（ui文件设置栅格），文件详情可看博客链接https://blog.csdn.net/m0_51294753/article/details/121405661。
star 5星 · 资源好评率100%
pdf

【SystemVerilog】路科验证V2学习笔记（全600页）.pdf

SystemVerilog的听课学习笔记，包括讲义截取、知识点记录、注意事项等细节的标注。 目录如下： 第一章 SV环境构建常识 1 1.1 数据类型 1 四、二值逻辑 4 定宽数组 9 foreach 13 动态数组 16 队列 19 关联数组 21 枚举类型 23 字符串 25 1.2 过程块和方法 27 initial和always 30 func
star 5星 · 资源好评率100%
zip

AutoSAR标准协议4.2.2

AutoSAR标准协议规范4.2.2，里面包含了AutoSAR组织所规定的AutoSAR架构的标准规范协议原文档。对AutoSAR的学习有一定的借鉴意义
star 5星 · 资源好评率100%
rar

光伏-储能并网系统仿真.rar

该文件是清华大学储能课的期末大作业。用SIMULINK搭建了一个完整的光伏-储能并网系统。我的博客中介绍了系统实现的具体方法，欢迎查看！
star 5星 · 资源好评率100%
zip

XCP协议的规范文档

XCP协议的原规范文档，主要包含了Part1-5共5个部分，其中第三部分又分为CAN、以太网和Sxl等。对于XCP协议的开发者和学习者有借鉴意义
star 5星 · 资源好评率100%
pdf

GD32替换STM32注意事项.pdf

GD32 介绍与 STM32 兼容性汇总。STM32的代码直接在GD32上运行需要小部分的修改。按教程做对应修改就行哈。
star 3星 · 编辑精心推荐