纳米尺度超低漏电ESD电源钳位电路研究 (2014年)

提出一种新型超低漏电ESD电源钳位电路。该电路采用具有反馈回路的ESD瞬态检测电路，能够减小MOS电容栅极-衬底之间电压差，降低电路的泄漏电流，抑制ESD泄放器件的亚阈值电流。65 nm CMOS工艺仿真结果表明，在电路正常上电时，泄漏电流只有24．13 μA，比传统ESD电源钳位电路的5．42 μA降低两个数量级。