一种基于电子散斑技术的半导体器件寿命预测方法

通过对微电子器件可靠性检测现状和电子散斑技术（ESPI）的研究，提出根据半导体器件离面位移变化情况预测其寿命。建立了一套电子散斑测量系统，温控系统为试件提供加速温度应力并控温，同时测量试件封装离面位移的变化规律，根据离面位移数据提取失效激活能,并结合寿命预测模型外推不同温度环境下的工作寿命。对样品S8550进行了100 ℃~190 ℃的序进应力加速实验，得到了各温度点的离面位移数据，并根据离面位移的变化规律快速地提取出了失效激活能，推算了工作环境温度为50 ℃和100 ℃时该试件的可靠寿命。实验数据与相关资料吻合，验证了该方法的可行性。