处理MOSFET非线性电容

自从30多年前首次推出以来，MOSFET已经成为高频开关电源转换的主流。该技术一直在稳步改进，目前我们已经拥有了对于毫欧姆RDSON值的低电压MOSFET。对于较高电压的器件，它正快速接近一位数字。实现这些改进的两个主要MOSFET技术进展是沟槽栅极和电荷平衡结构[1]。电荷平衡技术初是为能够产生超结（superjunction）MOSFET的高电压器件而开发的，现在该技术也扩展到更低的电压。虽然该技术大幅度降低了RDSON以及所有的连结电容，但它也使得后者更加非线性化。MOSFET中的有效存储电荷和能量确实减少了，并且是显著地减少了，但是，计算这些参数或比较不同的MOSFET以获得性能，已经