MFS结构铁电薄膜C-V特性的研究及界面电位降的计算 (2005年)

利用准分子激光原位淀积方法制备了BIT/PZT/BIT， PZT/BIT和BIT层状铁结构电薄膜，借助HP4192A低频率阻抗分析仪对样品的C-V特性进行了测试，用半导体理论讨论了金属—铁电薄膜—半导体（MFS）结构的电容电压（C-V）特性，由C-V曲线理论算出界面电位降V i，结果表明，界面电位降与测量电容、薄膜电容及耗尽层电容有关。在三种结构中，BIT/PZT/BIT结构的界面电压降为最小，其界面效应优于单层和双层结构的界面效应。