太赫兹固态放大器研究进展

随着半导体技术的发展，晶体管特征频率不断提高，已经进入到太赫兹（THz）频段，使得固态器件可以在THz频段工作。THz放大器可以将微弱的信号进行放大，在THz系统中起着关键作用。介绍了基于氮化镓(Gallium Nitride，GaN)高电子迁移率晶体管(High Electron Mobility Transistor，HEMT)器件、磷化铟(Indium Phosphide，InP)HEMT器件和InP异质结双极晶体管/双异质结双极晶体管(InP Heterojunction Bipolar Transistor/Double Heterojunction Bipolar Transistor，HBT/DHBT)器件的THz单片放大器研究进展。